სიტყვა "ფლეშ-მეხსიერება" არის ყველას ტუჩები. ტერმინი "flash drive" კი პირველი კლასის მოსწავლეები საუბარში ხშირად გამოიყენება. ეს ტექნოლოგია წარმოუდგენელი სიჩქარე პოპულარობა მოიპოვა. უფრო მეტიც, ბევრი ანალიტიკოსები პროგნოზით, უახლოეს მომავალში ფლეშ მეხსიერება ჩაანაცვლებს შენახვის მოწყობილობები საფუძველზე მაგნიტური დისკები. რჩება მხოლოდ დაიცვან განვითარების პროგრესი და მისი სარგებელი. გასაკვირი არ არის, ბევრი, საუბარი ამ ახალი პროდუქტის, თითქმის არ იცოდა, რომ ასეთი ფლეშ მეხსიერება. ერთის მხრივ, მომხმარებელს სჭირდება მოწყობილობის მუშაობდა და როგორ ასრულებს თავის ფუნქციებს - უმნიშვნელო საკითხებში. თუმცა, უნდა ჰქონდეს მინიმუმ ძირითადი გაგება აუცილებელია ყოველი განათლებული ადამიანი.
რა არის ფლეშ მეხსიერება?
როგორც მოგეხსენებათ, კომპიუტერები რამდენიმე სახის შენახვის მოწყობილობები: მეხსიერების მოდულები, მყარი დისკები და ოპტიკური დრაივები. ბოლო ორი - ის ელექტრომექანიკური გადაწყვეტილებები. მაგრამ RAM - სრულად ელექტრონული მოწყობილობა. არის კოლექცია ტრანზისტორი ჩიპზე აწყობილი სპეციალური ჩიპი. მისი თავისებურება მდგომარეობს იმაში, რომ მონაცემები ინახება, რადგან ბაზაზე ელექტროდი თითოეულ საკონტროლო გასაღები ენერგიით. ამჟამად ჩვენ მოგვიანებით მიიღოს უფრო ახლოს. ფლეშ მეხსიერება მოკლებულია ამ ხარვეზს. დააკისროს შენახვის პრობლემა გარეშე გარე ძაბვის მოგვარდეს გამოყენებით მცურავი gate ტრანზისტორი. იმ შემთხვევაში, გარე გავლენა მუხტი ასეთი მოწყობილობა შეიძლება იყოს საკმარისად დიდი ხნის განმავლობაში (არანაკლებ 10 წლის განმავლობაში). ასახსნელად პრინციპი ოპერაცია, აუცილებელია გავიხსენოთ საფუძვლებს ელექტრონიკა.
როგორ აკეთებს ტრანზისტორი?
ეს ელემენტები იმდენად ფართოდ გამოიყენება, რომ ეს არის იშვიათი, სადაც ისინი არ გამოიყენება. თუნდაც ბანალური მსუბუქი შეცვლა ზოგჯერ მითითებული ორიენტირებული გასაღებები. როგორ მოხდა, რომ კლასიკური ტრანზისტორი მოწყობილი? იგი ეფუძნება ორი ნახევარგამტარული მასალების, რომელთაგან ერთი აქვს ელექტრონული გამტარობის (n) და სხვა ხვრელი (P). მიიღოს მარტივი ტრანზისტორი, აუცილებელია გაერთიანდება მასალები, როგორიცაა NPN და თითოეული ბლოკი plug ელექტროდი. ერთი უკიდურესობაა ელექტროდი (emitter) ძაბვის იბეგრება. ისინი შეიძლება მიერ კონტროლირებად შეცვლის მასშტაბები პოტენციალი საშუალო გამომუშავება (ბაზა). მოცილება ხდება კოლექციონერი - მესამე ექსტრემალური კონტაქტი. აშკარაა, რომ გაუჩინარების ბაზის ძაბვის დაბრუნდება ნეიტრალური სახელმწიფო. მაგრამ ტრანზისტორი მოწყობილობა მცურავი კარიბჭე ფუძემდებლური fleshek ოდნავ განსხვავებული: წინა ნახევარგამტარული ბაზა მასალა იდება თხელი ფენით დიელექტრიკული და მცურავი gate - ერთად ისინი ქმნიან ე.წ. "ჯიბეში". გამოყენებისას პლუს ძაბვის ბაზაზე ტრანზისტორი გაიხსნება გავლის მიმდინარე, რომელიც შეესაბამება ლოგიკას ნულოვანი. მაგრამ თუ კარიბჭე დააყენა ერთი ბრალდება (ელექტრონული), თავის სფეროში ანეიტრალებს ეფექტი ბაზის შენობა - მოწყობილობის უარს დახურული (ლოგიკური ერთეული). საზომი ძაბვის შორის უკავია და კოლექციონერი შეუძლია განსაზღვროს თანდასწრებით (ან არარსებობა) ბრალდებით მცურავი კარიბჭე. აყენებს ბრალდებით კარიბჭე გამოყენებით გვირაბის ეფექტი (Fowler - Nordheim). ამოიღონ საჭიროება, რათა მაღალი ბრალდებით (9) უარყოფითი ძაბვის და დადებითი ბაზის წყარომ. პასუხისმგებელი დატოვებს კარიბჭე. მას შემდეგ, რაც ტექნოლოგია მუდმივად ვითარდება, ეს უკვე შემოთავაზებული გაერთიანდება განსახიერება და ჩვეულებრივი ტრანზისტორი ერთად მცურავი კარიბჭე. ეს დასაშვებია "წაშლას" დააკისროს დაბალი ძაბვის და აწარმოოს უფრო კომპაქტური მოწყობილობა (არ უნდა იზოლირება). USB ფლეშ მეხსიერება ეს პრინციპი (NAND სტრუქტურა).
ამგვარად, აერთიანებს ამ ტრანზისტორი ბლოკები, შესაძლებელი იყო, რომ შევქმნათ მეხსიერება, რომელიც მონაცემების თეორიულად შეინარჩუნა შეცვლის გარეშე ათწლეულების განმავლობაში. ალბათ ერთადერთი პრობლემა თანამედროვე ფლეშ დისკები - ნომერი ჩაწერის ციკლის ლიმიტი.